沿革

当社が独自に開発した酸化物分散型強化白金です。機能性ガラス製造に不可欠な白金器具の材料として当社の主力製品に位置付けられました。

難溶解性でリサイクルの難しいルテニウムをシンプルな工程で、かつ高効率・高純度でリサイクル可能な新技術を開発しました。

素材・センサー・薄膜材料・化学化合物・精製・回収と多岐にわたる研究を効果的に行うべく、素材、薄膜、ケミカルの3部門を持つ研究開発部を発足しました。全く異なる技術をもつ3部門ですが、この部門が互いの技術を共有することで新しい研究テーマの創出や技術課題の解決に役立っています。

当社のルテニウム精製は、つくば工場での石油化学向けの酸化触媒用のルテニウム化合物の製造を機に本格化しました。ルテニウム化合物製造のためにプレハブ小屋を建て、設備を運び入れて蒸留技術を磨き、ルテニウム精製の基本技術を確立しました。この時に確立されたルテニウム精製の技術は、2005年に完成するつくば工場C棟の10t/年の大型精製ラインに引き継がれました。

SPS（Spark Plasma Sintering、放電プラズマ焼結）は、粉末試料を急速加熱することにより、焼結体を短時間で緻密化できる技術です。つくば工場に焼結機1号機として導入されました。

小型かつ軽量で大容量の記録を可能にするハードディスク（垂直磁気記録方式）向けルテニウムターゲットが量産採用されました。

1999年に開発した当社オリジナルの銀合金「APC」の機能をさらに向上させたNEW-APCを開発しました。NEW-APCは、APCの持つ耐腐食性を維持しつつ、耐熱性を大幅に向上させ、さらに従来のAPCより高い反射率を有するという優れた特性を持っています。主に液晶や有機ELなどディスプレイ分野で使用されています。

GS-FPOは、Grain Stabilized Furuya Platinum alloys with Oxide particles の略称で、2001年に開発されたFPOをさらに改良した、当社独自の高性能白金合金です。
1500℃の高温下でも横長な結晶粒形状を維持させることで、ガラス溶解用白金器具のロングライフ化を実現しました。

CZ法（チョクラルスキー法）による大型サファイア育成は、融点2,040℃と高温のため、高融点材であるイリジウムルツボを使用します。当時、世界最大のφ330のイリジウムルツボを作製し、大型結晶の育成と事業の立ち上げに貢献しました。

イリジウム-ロジウム合金熱電対は2,000℃を超える超高温を計測することができます。半導体やLED等の製造工程で高温を制御するのに最適です。

イリジウム合金の摩擦攪拌接合（Friction Stir Welding）ツールを世界で初めて製品化しました。
この製品はイリジウム合金を材料としており、融点が2,600℃以上の金属でも接合できる高温強度を持ちます。
当社のイリジウム合金ツールは、従来のFSWツールでは、融点が高すぎるために接合できなかったモリブデン（融点2,623℃）やチタンなどの金属の接合を可能にしました。

FT-eco触媒には青果物の腐敗を早めるエチレン（C₂H₄）を低温で効率的に分解する機能があります。従来の触媒でエチレンを効率良く分解するためには200℃以上の環境が必要でしたが、FT-eco触媒は氷点下から30℃の環境でも効率良くエチレンを水（H₂O）と二酸化炭素（CO₂）に分解することが可能な画期的な触媒です。

STT-RAM（次世代メモリの電極）に使用されるターゲット材は極めて高い純度が要求されます。当社が開発した溶解ルテニウムターゲットは99.999％（ファイブナイン）以上の純度を達成した極めて高純度のルテニウムターゲットです。

R-SPは従来の熱電対と比べ、約2倍の強度を持つ熱電対です。これにより高温域においても長寿命を実現しました。
R-SPの「R」はR熱電対の強化版を意味し、「SP」は金属組織の特徴を表すStripe Pattern（ストライプパターン）とSpecial（スペシャル）を掛けたものです。

当時、次世代半導体向けターゲットとして、大型のルテニウムターゲットの需要が高まってきていました。そのため、大型品を製造できる大型SPS装置をSPS4号機として導入しました。

当社と京都大学の研究グループは、これまで安定的な量産が難しかったナノサイズの合金を効率的に作る新しい技術を共同開発しました。この技術では、1nmの非常に小さな粒子で均一な合金を作ることが可能になり、触媒としての性能が大幅に向上します。特に、排ガス浄化や化学プロセスに役立つ触媒の製造に応用されることが期待されています。従来の方法では手間がかかっていた合金触媒の作成が、一度の工程で効率的にできるようになり、今後は多くの分野での需要に応えることができる革新的な技術です。

石英に直接熱電対を埋め込むことで、従来の製品よりも迅速な温度測定（応答性、感度向上）が可能になりました。また、小型化によって狭いスペースでも温度の測定が可能となりました。

半導体分野においてスパッタリングターゲットは配線や電極用の非常に重要な材料として使用されます。当社は、高品質で高密度の大型ルテニウムターゲットを半導体向けの製品として開発に成功しました。

当社独自の溶解方法で含有不純物を極限まで低減する超高純度ターゲット製造技術を確立し、EUVリソグラフィ向け高品位ルテニウム合金ターゲットを開発しました。
EUVリソグラフィ（Extreme Ultraviolet Lithography、EUV露光）は極端紫外線を用いた半導体の製造技術で、半導体の微細化に欠かすことのできない技術です。

エレクトロ二クス産業が小型化と機能性を強化する中で、AlSc（アルミスカンジウム）合金は、優れた導電性と安定性を持った材料です。貴金属以外のスパッタリングターゲット量産品として新たなスタートをきりました。