薄膜製品 受託成膜サービス
当社で保有するスパッタリング装置を用いて成膜を行うサービスです。研究開発から量産検討まで幅広いニーズに対応した薄膜形成を行っています。最大4つのターゲットを設置し、ご要望の材料での積層膜や合金膜の形成が可能です。当社が得意とする貴金属をはじめ、多様な材料の成膜実績とノウハウを活かし、成膜条件の最適化、膜特性評価まで一貫してサポートしながらお客様のデバイス開発を加速します。他社では取り扱いが少ない高価な貴金属も成膜材料のラインナップとして取り揃えています。
平面成膜用スパッタ装置の概要
装置により、逆スパッタや複数ターゲット材を使用した積層膜、合金膜の成膜が可能です。
| 装置名 |  |
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|---|---|---|---|---|---|
| C4装置 | C3装置 | LTS装置 | 高真空装置 | インターバック装置 | |
| 加熱温度 | 〜400℃ | 〜600℃ | 〜500℃ | 〜580℃ | 〜250℃ |
| 投入基板サイズ | φ6inch（150mm） | φ4inch（100mm） | φ8inch（200mm） | φ8inch（200mm） | 370mm×470mm |
| 標準到達真空度 （Standard） |
5.0×10-4Pa | 5.0×10-4Pa | 5.0×10-4Pa | 2.0×10-5Pa | 5.0×10-5Pa |
| 最高到達真空度 （High） |
5.0×10-5Pa | 5.0×10-5Pa | 7.0×10-5Pa | 8.0×10-6Pa | 5.0×10-5Pa |
| 電源 | RF×4 | RF×3 | RF×2 DC×1 |
RF×1 DC×2 |
DC×2 |
| 最大投入電力 | 200W | 200W | RF 300W DC 250W |
RF 2000W DC 2000W |
DC 1500W |
| カソード数 | 4カソード 同時放電可能 |
3カソード 同時放電可能 |
3カソード 逆スパッタ可能 |
2カソード 同時放電不可 |
4カソード 同時放電不可 |
| 使用ガス | Ar、O2、N2 | Ar、O2、N2 | Ar、O2、N2 | Ar、O2、N2 | Ar、O2、N2 |
所有ターゲット例
| 貴金属 | Ir、Ru、Pt、Rh、Pd、Au、Ag、APC各種 |
|---|---|
| 金属 | AI、Ti、Cu、Co、Nb、Re、Fe、Cr、Ni、In、Si、Ta、Zr、Mo、その他 |
| 酸化物 | Al203、TiO2、SiO2、ITO、IZO、その他 |
- ※ 未所有のターゲット材も、ご支給もしくは調達により成膜が可能です。
- ※ リアクティブ成膜による酸化膜、窒化膜の成膜が可能です。
- ※ 使用状況により記載のターゲット材が在庫切れの場合があります。
