薄膜製品 半導体用スパッタリング
ターゲット

半導体分野において、貴金属スパッタリングターゲットは配線形成や機能層形成を支える重要材料です。さらなる微細化に向け、EUVリソグラフィ用マスクの高精度化・高耐久化や、バリアフリー配線の開発が進められており、それらに貢献する材料としてルテニウムをはじめとする貴金属が注目されています。加えて、SOT‑MRAMやReRAMなど、次世代半導体メモリにおいても、安定した電気特性と高い信頼性を実現するキーマテリアルとして有効です。当社は、高い品質が要求される半導体分野向けに、高純度なルテニウム、イリジウムターゲットや、様々な貴金属合金のターゲットの製造・開発を行っています。

材質 Ru、Ru-alloy、Ir、Ir-alloy、Pt、Pt-alloy、APC、Pd、Rh

特長

ルテニウム、イリジウムをはじめとする各種貴金属ターゲットや合金ターゲットの製造・開発をしています。 独自の精製技術や、プラズマ溶解、EB溶解、SPS焼結を用い、世界最高水準の高純度・高密度なターゲット品質を実現しています。 また、粒径、面方位などをコントロールし、面内均一性の向上やパーティクルの低減につながる製品のご提案が可能です。 加えて、自社で保有するスパッタリング装置を用い、自社内での膜特性の確認や、お客様希望の合金ターゲットの開発も行っています。

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Ru
Ir
Pt

用途別使用材質

不揮発性メモリ MRAM :Ru、Ir、Pt
FRAM :Ir
ReRAM:Ir、Ru
LED Ru、APC
EUV Ru、Ru-alloy、Rh

MRAM原理

電子のスピンによって生じる磁界を利用して磁化の方向を変更することで、データを書き込む次世代の半導体メモリとして注目されています。主に金属が使用される層で多層構成されています。ルテニウムなどのPGM材料は、磁性層、磁性層と他層間との結合層として使用されています。

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